所谓磁集成技能，便是将多个电感、变压器绕在一个磁芯上；再浅显一点，便是把电感集成在变压器之中。首要的意图有：

  最直观得益于这项技能的感触，莫过于手里体积越来越小的手机充电器和电脑充电器。而跟着氮化镓GaN半导体的呈现，开关频率可到达MHz等级，使得PCB变压器成为可能。

  抱负变压器并不存在，任何一个变压器都有漏电感，运用最为广泛的变压器T型等效模型中，也对漏电感进行了建模。

  大多数状况，咱们咱们都期望这个漏感满足小，但在有些状况咱们应该运用这个漏感，假如这个漏感的特性和咱们所需求的电感相同，也就完成了电感在变压器中集成。在某些状况，尤其是谐振变换器的运用中，电感需求准确规划，而在磁集成变压器中，则转变为对漏电感的准确操控。

  左下图是一种典型的磁集成变压器结构，有中心柱和两个边柱，为便利论述，两个边柱我命名为A柱和B柱。中心柱和边柱都留有气隙，边柱柱气隙磁阻为Rg1，中心柱柱气隙磁阻为Rg2。

  （这儿一共有四部分绕组，原边(primary)绕在A柱上的匝数记为NPA，副边(secondary)绕在B柱上的匝数记为NSB，以此类推)

  原边绕组NPA、NPB和副边绕组NSA、NSB，非对称地绕在两个边柱上。

  依据磁路理论，可导出为右上图所示的磁路模型。这儿有一个重要的假定：磁芯磁导率满足大，磁导线会集在磁芯内部。

  这儿的ΦK便是漏磁通，前面说到变压器需求非对称绕制，是因为假如对称绕制（NPA=NPB, * NSA* =NSB），则理论上漏磁通为0。

  这种结构的磁集成变压器能取得较好的EMC特性，是因为它的漏磁通会集在变压器内部的中心柱，没有对外辐射。

  到目前为止，好像都是在剖析磁通，还没有和咱们所关怀的漏电感扯上联系，再回到变压器的T型等效电路。

  接下来咱们应该找到磁路模型和电路模型之间的对应联系，用二来描绘这个变压器（因为变压器为无源线性网络，一定是互易二端口网络，只需3个独立参数）：

  两种描绘变压器的方法应当异曲同工，代入ΦA和ΦB，可得到自感L11、L22及互感L12与绕组匝数之间的联系：

  由此可见，漏电感的巨细和匝数绕法、磁阻相关，而磁阻又和截面积、气隙长度相关，只需调整这些参数，就能得到想要的漏感巨细。

  假如A柱和B柱匝数相同，且变比为1（NPA=NSB, * NSA* =NPB），则漏感的表达式可进一步简化为

  基于此，可进一步的概括一些规则：原边漏电感的巨细，近似正比于原边绕组在两个磁柱别离绕制匝数差的平方，反比于磁阻。

  很惋惜，通过样品实测，理论推导模型的成果与实践参数差错约5%。这儿我还运用到了有限元磁仿真软件Ansys Maxwell，得到的成果愈加准确，与样品实测仅差错

  理论模型差错较大的原因首要在于，在剖析的开端，咱们假定了磁导率满足大疏忽了空气磁路。

  而事实上，磁导率不满足大时，导致气隙边缘效应、空气磁路并不能疏忽，这点从仿真得到的磁场散布图中能够看出。

  所以更为合理的规划方法是：先运用磁路推导的理论成果进行初步规划，然后在磁仿真中验证，这些公式的价值也在于辅导调整规划参数的方向。